Institut des
NanoSciences de Paris
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Croissance et propriétés de systèmes hybrides en couches minces

Dispositif d’élaboration par MBE

Contact : Paola Atkinson

 

(c)INSP. Franck Vidal

Nous disposons d’un ensemble de bâtis de croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) de semiconducteurs (III-V et II-VI), de métaux et d’oxydes. Ces outils d’élaboration ne sont pas isolés : ils sont couplés à une palette conséquente de techniques d’étude in situ (LEED, RHEED, STM, UPS et XPS) qui permettent non seulement l’obtention d’échantillons de très bonne qualité mais également l’étude de leurs propriétés structurales, chimiques et électroniques. L’ensemble est sous ultra-vide.