1998 HDR, Université PARIS 12-Val de Marne
 1981 Doctorat en Sciences des Matériaux, Université PARIS 7
 1979 Master ès Sciences, Université de Sherbrooke (Canada)
 1978 D.E.A. Sciences des Matériaux, Université PARIS 7
 1977 Maîtrise de Physique, Université PARIS 7

La première partie de ma carrière scientifique s’est déroulée dans des centres de recherche industriels privés où j’étais ingénieur de recherche. En 1989, j’ai choisi de rejoindre le monde académique et j’ai intégré l’Université Paris 12-Val de Marne.

Enseignement supérieur Depuis 2001 : PR - 63^e section UPEC Faculté des Sciences et technologie

De 1989 à 2001 : MC - 63^e section Université PARIS 12-Val de Marne Faculté des Sciences et technologie

Industrie Ingénieur de Recherche

1988 à 1989 : Laboratoire Central de Recherche de THOMSON-CSF Groupe « Magnétisme-Couches Minces » Domaine de Corbeville 91404 Orsay Cedex

1982 à 1988 : Centre de Recherche de SCHLUMBERGER Industries Laboratoire de Microélectronique 50 avenue J. Jaurès 92542 Montrouge Cedex

Les thèmes scientifiques que j’ai abordés se décomposent selon quatre étapes à l’issue de chacune desquelles j’ai effectué une mobilité thématique.

 Depuis 2006 : Nanocristaux de SiC Institut des Nanosciences de Paris-UMR 7588 UPMC- 4 place Jussieu 75005 Paris

 De 1992 à 2006 : Cuprates supraconducteurs en couches minces élaborés par MBE Laboratoire Surfaces et Supraconducteurs ESPCI –10 rue Vauquelin-75005 Paris dans le cadre de l’UPR5 puis de l’EA 3480 (Université Paris12) dissoute en 2005

 De 1982 à 1989 : Couches minces magnétiques par pulvérisation cathodique : application à la réalisation de têtes écriture/lecture pour l’enregistrement sur bandes magnétiques Centre de Recherche de SCHLUMBERGER Industries (Montrouge) et Laboratoire Central de Recherche de Thomson-CSF (Corbeville)

 De 1978 à 1981 : Croissance en phase vapeur de cristaux de HfS3 et ZrS3 et spectroscopie Raman sous haute pression Université de Sherbrooke (Canada) et Laboratoire de Physique des Solides de l’Université PARIS 6

Nanocristaux de SiC

En 2006, j’ai réorienté ma thématique de recherche sur l’étude des interfaces par des techniques d’analyses nucléaires et j’ai en intégré l’équipe « couches nanométriques : formation, interfaces, défauts » de l’Institut des Nanosciences de Paris (UMR-7588). Au sein de cette équipe j’ai développé un nouveau thème de recherche : L’étude des mécanismes de croissance de nanocristaux de carbure de silicium épitaxiés sur silicium. J’encadre sur ce sujet, depuis septembre 2009, Deokar Geetanjali, doctorante financée par le programme Erasmus Mundus External Windows Lot 15 India.

Descriptif du sujet :

L’amélioration des performances des circuits intégrés passe par la diminution de la taille des composants élémentaires et/ou l’utilisation de semiconducteurs autres que le silicium. Les nanocristaux de semiconducteurs suscitent un intérêt croissant pour des applications telles que le transistor à un électron ou des cellules mémoires non-volatiles. SiC a l’avantage d’être compatible avec la technologie silicium et le polytype cubique possède des propriétés électriques exceptionnelles. Mais son développement et son utilisation sont freinés par la qualité des cristaux disponibles.

Le traitement thermique de plaquettes de silicium oxydé, sous monoxyde de carbone, permet d’obtenir des nanocristaux de SiC cubique épitaxiés sur Si, de très bonne qualité. La densité et la taille des cristaux augmentent avec le temps de traitement et la pression de CO. Il est ainsi possible de recouvrir entièrement la surface de Si, ce qui peut servir de base pour l’élaboration de films de SiC épitaxiés sur silicium sans défauts d’interface. Par ailleurs, une post-oxydation permet d’obtenir des nanocristaux de SiC enrobés dans une matrice de silice, ce qui pourrait aboutir à la fabrication de capacité ou de MOSFET.

Mon objectif est de comprendre les mécanismes de formation des nanocristaux, le rôle de la silice, et d’élucider les interactions entre le gaz oxydant et l’interface oxyde–semiconducteur (mécanisme de transport, échange d’oxygène, création de défauts, réactions et modification de l’interface) et de faire le lien avec les propriétés physiques. Ce travail permettra aussi d’améliorer la compréhension des mécanismes d’oxydation du SiC (l’évacuation du carbone à travers la silice).

En utilisant du monoxyde de carbone marqué isotopiquement et les réactions nucléaires spécifiques du 13C et de l’18O, il est possible de doser avec grande précision le carbone et l’oxygène apportés par le gaz dans l’échantillon. Il est également possible, par un balayage en énergie des ions utilisés lors du dosage, de déterminer le profil de concentration en oxygène et carbone dans l’échantillon. Avec ces techniques, des mécanismes d’échange d’oxygène entre le CO et la silice ont pu être mis en évidence. Nous avons également pu démontrer que CO diffusait sous forme de molécule dans la silice et déterminer la valeur du coefficient de diffusion.

 Geetanjali Deokar, (PARIS 6, 2012) Etude des propriétés et des mécanismes de croissance de nanocristaux de carbure de silicium épitaxiés sur silicium Bourse Erasmus Mundus External Windows Lot 15 India.

  Hicham El Alami, (Université PARIS 12, 2003) Etude de cuprates BiSrCaCuO déficitaires en bismuth synthétisés par MBE
  Claire Partiot, allocataire MRES, (PARIS 6, 2000) Synthèse par MBE de cuprates à échelles CaCu2O3+ : études structurales et physiques
  Jean-Baptiste Moussy, (PARIS 6,1999) Croissance par MBE de films de BiSrCaCuO, étude de leurs propriétés électroniques
  Betty Eustache, (PARIS 12, 1997) Croissance et etude structurale de couches minces de cuprates à échelles de spin
  Christophe Hatterer, (PARIS 6, 1996) Caractérisations et etudes physiques de cuprates en couches minces
  Marc Dorget, (PARIS 12, 1998-2001) Synthèse et propriétés électroniques de cuprates à basse dimensionnalité
  Vincent Mairet, (PARIS 7, 21 Décembre 1995) Croissance et études de couches minces de cuprates de type (SrCa)CuO déposées par épitaxie par jets moléculaires
  Hassan Tebji (PARIS 6,1993) Dopage de la phase infinie
  Xiang Zhen Xu (PARIS 6, 1993) Les mécanismes de croissance de films de Bi2Sr2CuOx déposés séquentiellement couche atomique par couche atomique.

Revues internationales à comité de lecture :

1. In-situ formation of SiC nanocrystals by high température annealing of SiO2/Si under CO : a photoémission study Surface Science, Volume 606, Issues 7–8, April 2012, Pages 697-701 M. D’angelo, G. Deokar, S. Steydli, A. Pongrácz, B. Pécz, M.G. Silly, F. Sirotti, C. Deville Cavellin

2. Synthesis of 3C-SiC Nanocrystals at the SiO2/Si Interface by CO2 Thermal Treatment G. Deokar, M. D’Angelo, and C. Deville Cavellin J. Nanosci. Nanotechnol. 11, 9232-9236 (2011)

3. Isotopic tracing study of the growth of silicon carbide nano-crystals at the SiO2/Si interface by CO annealing A.Pongracz, Y.Hoshino, M.D’Angelo, C.Deville Cavellin, J.-J.Ganem, I.Trimaille, G.Battistig, K.V.Josepovits, I.Vickridge J. Appl. Phys. 106, 2, 024302, 2009

4. An 18O study of the interaction between carbon monoxide and dry thermal SiO2 at 1100 °C C.Deville Cavellin, I.Trimaille, J-JGanem, M.D’Angelo, IVickridge, APongracz, and G Battistig J. Appl. Phys. 105, 033501, 2009

5. Superconducting Transition at 38 K in Insulating-Overdoped La2CuO4-La1.64Sr0.36CuO4 Superlattices : Evidence for Interface Electronic Redistribution from Resonant Soft X-Ray Scattering S.Smadici, J.C.T.Lee, S.Wang, P.Abbamonte, G.Logvenov, A.Gozar, C.Deville Cavellin and I.Bozovic PRL 102, 107004, 2009 selected for the March 23, 2009 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology

6. Engineering interfaces in cuprate superconductors G.Logvenov, V.Butko, C.Deville Cavellin, J.Seo, A.Gozar and I.Bozovic Physica B 403 2008

7. Scaling properties of YBa2Cu3Ox films E Arushanov, S Levcenko, H El Alami and C Deville Cavellin Supercond. Sci. Technol. 18 1437-1440, 2005

8. BiSrCaCuO compounds rich in copper synthesized by Molecular Beam Epitaxy : Structural and electric properties H.El Alami and C.Deville Cavellin J.Crystal Growth, 277, 170-174, 2005

9. High affinity self-assembled monolayers for copper CVD. P.Doppelt, N.Semaltianos, C.Deville Cavellin, J.L.Pastol, D.Ballutaud Microelectronic Engineering 76, p. 113-118, 2004

10. Influence of the bismuth deficit on the electric and structural properties of BiSrCaCuO thin films synthesized by Molecular Beam Epitaxy H.El Alami, I.Rannou and C.Deville Cavellin Physica C 406, 131-136, 2004

11. Variable-range hopping conductivity in thin film of the ladder compound [Ca1+Cu2O3]4 K. G. Lisunov, B. Raquet, H. Rakoto, J. M. Broto, E. Arushanov, X. Z. Xu, H. El Alami, C. Deville Cavellin J. Appl. Phys. 94, 5912, 2003

12. Superconductivity in a Spin-Ladder Cuprate J.H.Schön, M.Dorget, F.C.Beuran, X.Z.Xu, E.Arushanov, M.Laguës and C.Deville Cavellin Science 295 Technical comments 1967a, 2002

13. Influence of disorder on the local density of states in high-Tc superconducting thin films T.Cren, D.Rodichev, W.Sacks and J.Klein, J.B.Moussy, C.Deville Cavellin and M.Laguës. Phys. Rev. Lett. 84, 147-150, 2000

14. Percolation behaviour in intergrowth BiSrCaCuO structures grown by molecular beam epitaxy. J.B.Moussy, J.Y.Laval, X.Z.Xu, F.Beuran, C.Deville Cavellin and M.Lagües Physica C 329, 231-242, 2000

15. Room temperature transport properties of new BiSrCaCuO compounds. M.Laguës, C.Partiot, V.Mairet, C.Hatterer, X.Z.Xu, C.Deville Cavellin , B.Eustache, C.F.Beuran and J.BMoussy. Comptes Rendus de l’Académie des Sciences, tome 324, 627-639, 1997.

16. Fermi surface of Bi2Sr2CaCu2O8 thin film. C.Hatterer, V.Mairet, C.F.Beuran, X.M. Xie, X.Z.Xu, M.Laguës, C.Coussot, B.Eustache, H.Adrian, P.Wagner, C.Deville Cavellin , G.Indlekofer and A.Taleb. Physica C 261, 153-156, 1996.

17. Transport mechanisms in infinite layer compounds grown by molecular beam epitaxy. X.M. Xie, C.Hatterer, V.Mairet, C.F.Beuran, C.Coussot, C.Deville Cavellin, B.Eustache, P.Laffez, X.Z.Xu and M.Laguës. Appl.Phys.Lett 67, 1671-1673, 1995.

18. Growth mechanisms of Bi2Sr2CuO6 films deposited by sequentialy imposed layer epitaxy. X.Z.Xu, M.Viret, H.Tebbji, V.Mairet, C.Hatterer, C.Deville Cavellin, C.F.Beuran and M.Laguës. Solid State Communication 92, 443-447, 1994.

19. Transition résistive et diamagnétique à 250K dans un film de cuprate déposé couche atomique par couche atomique. M.Laguës, X.M.Xie, H.Tebbji, X.Z.Xu, V.Mairet, C.Hatterer, C.F.Beuran and C.Deville Cavellin. Comptes Rendus de l’Académie des Sciences, tome 318, 591-596, 1994.

20. Evidence suggesting superconductivity at 250K in a sequentially deposited cuprate film. M.Laguës, X.M.Xie, H.Tebbji, X.Z.Xu, V.Mairet, C.Hatterer, C.Beuran, C.Deville Cavellin Science 262, 1850-1852, 1993.

21. Noise characteristics of magnetic garnets under a localized field C. Deville Cavellin, J.P. Allibert Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 123, 219-222, 1993.

22. Dependence of the phonon spectrum of ZrS3 on hydrostatic pressure. C. Deville Cavellin, G. Martinez, O. Gorochov and A. Zwick J. Phys. C 15, 5371-5379, 1982.

23. Resonant enhancement of the Raman line width of phonon modes induced by hydrostatic pressure D. Petritis, C. Deville Cavellin and G. Martinez Journal de Physique 42, C6, 688, 1981.

24. Raman Spectra of HfS3. C. Deville Cavellin and S. Jandl Solid State Comm. 33, 813-816, 1980.

25. Raman Spectra of ZrS3. S. Jandl, C. Deville Cavellin and J.Y. Harbec Solid State Comm. 31, 351-353, 1979.

26. Raman spectra and crystal symmetry of ZrS3. J.Y. Harbec, C. Deville Cavellin and S. Jandl Phys. Stat. Sol. (b) 96, K117-120, 1979.

Monographie 27. The infinite layer family of superconducting cuprates M.Laguës, C.F.Beuran, C.Hatterer, P.Laffez, V.Mairet, X.M. Xie, X.Z.Xu C.Deville Cavellin , B.Eustache and C.Coussot. Coherence in High Temperature Superconductors p.70-98, Ed. G.Deutscher & A. Revcoleschi , World Scientific,1996.

Conférences Internationales avec Comité de Lecture et publications des actes :

28. Influence of the bismuth deficit on the structural and electric properties of the Bi2Sr2CaCu2O thin films synthesized by molecular beam epitaxy H. El. Alami, I. Rannou and C.Deville Cavellin IUMRS-ICAM , Yokohama (Japan) October 8/13, 2003 Trans.MRS-J, vol.29, 2004

29. Structure and transport properties of spin ladder cuprate thin films synthetized by MBE Conférence invitée C.Deville Cavellin, M.Dorget, C.F.Beuran, X.Z.Xu, M. Laguës MSCMP 2001, CHISINAU (Moldavie)- July 4/7, 2001 Moldavian Journal of the Physical Sciences v.1, N2, pp.104-109, 2002

30. Transport properties of doped cuprate ladder compounds grown by MBE C.Partiot, M.Dorget, C.Deville Cavellin, F.Studer, X.Z.Xu, F.Beuran and M.Laguës M2S-High Temperature Supercond. Conference, Houston (USA), Feb.28– Mars 3, 2000. Physica C 341-348, 475, 2000

31. Room temperature charge transfer in two-leg cuprate ladder compounds M.Dorget C.Partiot, C.Deville Cavellin, X.Z.Xu, F.Studer, P.Lagarde and M.Laguës M2S-High Temperature Supercond. Conference, Houston (USA), Feb.28– Mars 3, 2000. Physica C 341-348, 477, 2000

32. Calcium ladder cuprate films grown by Molecular Beam Epitaxy. C.Deville Cavellin , B.Eustache, C.J.Hatterer, J-P.Lauriat, X.Z.Xu, V.Mairet, F.Beuran and M.Lagües M2S-High Temperature Supercond. Conference, Pekin (Chine), Feb.28– Mars 2, 1997. Physica C 282-287, 929-930, 1997.

33. Molecular Beam Epitaxy of a single atomic layer : experimental results for cuprates and lattice-gas simulations. F.Beuran, J.L.Domange, X.Z.Xu, C.Deville Cavellin, V.Mairet, and M.Lagües. M2S-High Temperature Supercond. Conference, Pekin (Chine), Feb.28– Mars 2, 1997. Physica C 282-287, 631-632, 1997.

34. Transport properties of MBE grown Cuprate Spin Ladders. M.Lagües, J.Y.Laval, F.Beuran, C.Deville Cavellin , B.Eustache , J.B.Moussy, C.Partiot, and X.Z.Xu. M2S-High Temperature Supercond. Conference, Pekin (Chine), Feb.28 – Mars 2, 1997. Physica C 282-287, 162-165, 1997.

35. MBE growth of metallic compounds on the copper rich side of the (Sr,Ca)-Cu-O system. B.Eustache, C.F.Beuran, C.Deville Cavellin , C.Hatterer, V.Mairet, C.Partiot, X.Z.Xu and M.Laguës. European-MRS 1996 Spring meeting, Strasbourg, 4-7 juin 1996 J. of Alloys and Compounds 251, 240-242, 1997.

36. Study of apical oxygen atoms in cuprate compounds by X-Ray absorption spectroscopy near the Cu K-edge. C.J.Hatterer, B.Eustache, L.Collin, A.Michalowicz, J.Moscovici, C.Deville Cavellin, C.F.Beuran, C.Partiot, P.Germain, X.Z.Xu, A.Traverse and M.Laguës. European-MRS 1996 Spring meeting, Strasbourg, 4-7 juin 1996 J. of Alloys and Compounds 251, 103-105, 1997.

37. On the way from Infinite Layer Compounds to Atomic Engineering of Superconducting Cuprates. Conférence invitée M.Laguës, C.F.Beuran, C.Deville Cavellin, B.Eustache, P.Germain, C.Hatterer, V.Mairet, C.Partiot, X.M. Xie and X.Z.Xu. Oxide Superconductors : Physics and Nanoengineering, San Jose (California,USA), January 27 - February 2, 1996. SPIE Journal vol. 2697, 256-264,1996.

38. Sequential Imposed Layer Epitaxy of Cuprates Films. M.Laguës, H.Tebbji, V.Mairet, C.Hatterer, C.Deville Cavellin, C.F.Beuran, N.Hass and X.Z.Xu. MRS Fall Meeting, Boston (USA), Nov.1993. Journal of Superconductivity 7, 221-225, 1994.

39. 500 tpi thin film magnetic tape recording heads C. Deville Cavellin and J.C. Callu IEEE Trans. on Magnetics, MAG 24, 1315, 1988.

Conférences internationales, sans publications des actes :

 Influence of 10 degree off Si substrate on growth of 3C-SiC nanocrystals G. Deokar, M. D’Angelo, C. Deville Cavellin E-MRS spring meeting 2012, Strasbourg, 14 May 2012 (oral)

 In-situ formation of beta-SiC nanocristals at SiO2/Si interface M. D’angelo, G. Deokar, S. Steydli M. Silly, F. Sirotti, B. Pécz, A. Pongracz and C. Deville Cavellin Atomically Controled Surface, Interfaces and Nanostructures alias ACSIN-11 3-7 octobre 2011, St Petersbourg, Russie
 Investigation of oxygen exchanges between CO2 and thermally grown SiO2 network by Narrow Resonance Depth Profiling C. Deville Cavellin , G. Deokar, M. D’Angelo, I. Trimaille, J.J. Ganem, I. Vickridge High Resolution Depth Profiling , HRDP6, Paris June 27-30 2011 (oral)
 Use of ion beam analysis techniques to understand β-SiC nanocrystal growth at SiO2/Si interface G. Deokar, M. D’Angelo, Deville Cavellin High Resolution Depth Profiling , HRDP6, Paris June 27-30 2011
 Use of IBA techniques to understand interaction of CO2 with thermally grown SiO2 network and Si/SiO2 interface (Communication orale) G. Deokar, M. D’Angelo, C. Deville Cavellin 20th International Conf. on Ion Beam Analysis, Itapema,SC (Brazil) –IBA-10-15April, 2011 (oral)

Synthesis of 3C-SiC nanocrystals at the SiO2/Si interface by CO2 thermal treatment. G. Deokar, M. D’Angelo, C. Deville Cavellin 3rd International Conference on Nanostructures SElf-Assembly, NanoSEA 2010 Cassis, France, 28 June - 2 July 2010

Determination of the diffusion coefficient of CO2 in the silica by profile analysis of nuclear réaction induced by ion beam G. Deokar, M. D’Angelo, C. Deville Cavellin Ion Beam Francophone- 3^e Rencontre « Analyse par faisceaux d’ions rapides » Namur (Belgique) 15 - 18 novembre 2010

CO interaction with Si surfaces and SiO2/Si interfaces C. Deville Cavellin, J.-J. Ganem, I. Trimaille, M. D’Angelo, I. Vickridge 19th International Conference on Ion Beam Analysis, University of Cambridge, UK, 7-11 September, 2009

Narrow Nuclear Resonance Profiling and Stable Isotopic Tracing Study of the Diffusion and Reaction of Carbon Monoxide Molecules in Thermal Silica and at its Interface with Silicon I. Vickridge, M. D’Angelo, C. Deville Cavellin, J-J Ganem, I. Trimaille, Y. Hoshino 19th International Conference on Ion Beam Analysis, University of Cambridge, UK, 7-11 September, 2009

Conférences invitées : Narrow nuclear resonance profiling and stable isotopic tracing study of the diffusion and reaction of carbon monoxide molecules in thermal silica and at its interface with silicon I. Vickridge, M. D’Angelo, C.Deville Cavellin, J.-J. Ganem, I. Trimaille, Y. Hoshino 5th International Workshop on High-Resolution Depth Profiling Kyoto, Japan, November 15-19, 2009

SiC nanocrystals formation at the SiO2/Si interface M. D’ANGELO, C. Deville Cavellin, I. Trimaille, J.J Ganem and I.C. Vickridge IUPAC 5th International Symposium on Novel Materials and Synthesis (NMS-V) & 19th International Symposium on Fine Chemistry and Functional Polymers (FCFP-XIX), Shanghai, 18-22 October, 2009

Field-effect cuprates superconductor devices C. Deville Cavellin, J.H. Schön, X. Z. Xu, M.Laguës, F. Beuran, E. Arushanov 2002 international conference on Physics and Chemistry of Molecular and Oxide Superconductors MOS2002, Hsinchu, Taiwan, August 13-18, 2002

Growth and doping of cuprate films prepared by molecular beam Epitaxy M.Laguës, X.Z.Xu, F.C.Beuran, M.Dorget, H.El-Alami, F.Gérard, C.Colin and C.Deville Cavellin International Symposium on Artificial and Natural Nanostructures ANNO 1, Roma, 10-12 december, 2001

MBE prepared Copper oxide films : growth, doping and electronic properties M.Laguës, X.Z.Xu, F.C.Beuran, M.Dorget, H.El-Alami, F.Gérard, S. Benabid and C.Deville Cavellin New trends in superconductivity (nts-2001 ) (NATO advanced research workshop) Yalta , Ukraine 16-20 september, 2001

Atomic engineering of superconducting cuprates M.Laguës, C.F.Beuran, C.Deville Cavellin, B.Eustache, C.Partiot and X.Z.Xu. MRS Symposium « HTc Superconductivity - Interplay of fundamentals and applications » Boston (USA) - 2-6 déc 1996.

Autres participations : In-Situ Growth of SiC nano-crystals Studied by Core-Level Photoemission on TEMPO Beamline G. Deokar, C. Deville Cavellin, M. D’Angelo, S. Steydli, I.Vickridge, M. Silly and F. Sirotti SOLEIL Users’ Meeting 2010, St Aubin

Etude par traçage isotopique de l’interaction entre le monoxide de carbone et la silice à 1100°C C. Deville Cavellin, J.J. Ganem, I. Trimaille, E. Briand, M. D’Angelo et I. Vickridge, Cluster de recherche Microélectronique, Nanosciences et Nanotechnologies jeudi 8 octobre 2009 Maison Minatec, Grenoble.

Réaction et diffusion de CO dans la silice thermique : une étude par traçage isotopique et analyse par faisceaux d’ions C. Deville Cavellin, I. Trimaille, M. D’Angelo, J.J Ganem, I. Vickridge, A. Pongracz, G. Battistig IBAF Ion Beam Analysis France, Carcans, 2008

Structure, doping and transport properties of Cuprate Ladder compounds grown by Molecular Beam Epitaxy M. Laguës, C.F.Beuran, C. Deville Cavellin, B.Eustache, J.B.Moussy, C.Partiot and X.Z.Xu Superconducting and related Oxides Orlando, USA, Apr.h24-28, 2000

Doping Spin Ladder compounds grown by Molecular Beam Epitaxy M. Dorget, J.B.Moussy, C.Partiot C. Deville Cavellin, X.Z.Xu and M. Laguës SMART-99 Conference Giens, (France), September 18-23, 1999

Doping cuprate spin ladders C.Deville Cavellin, F.Beuran, B.Eustache, X.Z.Xu, J.B.Moussy, C.Partiot and M.Laguës. CIMTEC 98, Florence (Italie), June 14-19, 1998

Mécanismes de croissance par MBE de films de cuprates M.Lagues, X.Z.Xu, F.C.Beuran, C.Deville Cavellin, B.Eustache, J.B.Moussy et C.Partiot 12émes Journées Surfaces et Interfaces (ESPCI, Paris) 27,28 janvier 1998

Composés à Echelles de Spin SrCu2O3 et CaCu2O3 : Synthèse par MBE et étude structurale M.Lagues, J.Y.Laval, F.C.Beuran, C.Deville Cavellin, B.Eustache, J.B.Moussy, C.Partiot et X.Z.Xu Journées Spins Quantiques à basse dimension (ESRF Grenoble), 15-16 janvier 1997

The infinite layer family of superconducting cuprates M.Laguës, C.F.Beuran, C.Deville Cavellin, B.Eustache, P.Germain, C.Hatterer, V.Mairet, X.M. Xie and X.Z.Xu International conference on hight Tc supraconductivity, Herzlia (Israel), May1995.

Phase transition in magnetic bubbles lattices. V.S.Gerasimchuck, Y.I.Gorobets and C.Deville Cavellin 38th Conference on Magnetism and Magnetic Materials, Minneapolis (Minnesota,USA) Nov.15-18, 1993.

Growth mecanisms of Bi2Sr2CuO6 deposited by sequentialy imposed layer epitaxy X.Z.Xu,H.Tebbji, V.Mairet, C.Hatterer, N.Hass, C.Deville Cavellin and M.Laguës Molecular and Oxide Superconductors, Eugene (Oregon, USA), July 27-31 1993.

Cuprate films elaboration by sequential atomic layer epitaxy. X.Z.Xu, M.Viret, H.Tebbji, C.Deville Cavellin and M.Laguës International conference on Hight Tc supraconductivity, Eilat (Israel), Janv.1993.